三星电子和SK海力士周三在首尔举行的2025半导体展览会上展示了最新的高带宽内存（HBM）芯片公牛配资，表明在第六代人工智能（AI）芯片市场上，两家公司将展开激烈的竞争。
当天，在首尔江南区永登浦洞举行的为期3天的展览会上，两家公司都在展台上展示了HBM4芯片，表明了引领半导体行业的信心。
HBM是一种先进的高性能存储芯片，是英伟达公司驱动生成式AI系统的图形处理单元（GPU）的重要组成部分。
虽然目前市场由第五代HBM3E芯片主导公牛配资，但业内观察人士预计，HBM4将在明年成为一个主要因素，因为英伟达计划在其下一代AI加速器Rubin中使用它。
目前，SK海力士已经完成了HBM4的开发，正在准备量产。据报道，该公司正在与英伟达就大规模供应进行谈判。
三星电子长期占据内存市场的主导地位，但最近在HBM领域失去了优势。对于该公司来说，新的HBM4系列被视为重新获得竞争优势的潜在改变者。
三星电子半导体业务负责人Jun Young-hyun在3月份的股东大会上表示：“为了不重蹈HBM3E市场的覆辙，将继续推进HBM4产品的开发和量产。”
据调查机构Counterpoint Research最近发表的报告显示，SK海力士在第二季度的全球HBM市场上以62%的出货量占据了首位，美光科技（21%）和三星电子（17%）紧随其后。
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责任编辑：于健 SF069公牛配资
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